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  • 型号: IRG7PH44K10D-EPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRG7PH44K10D-EPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG7PH44K10D-EPBF价格参考。International RectifierIRG7PH44K10D-EPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRG7PH44K10D-EPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG7PH44K10D-EPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRG7PH44K10D-EPBF 是 Vishay(原 International Rectifier)推出的高性能高压IGBT(绝缘栅双极型晶体管),采用TO-247AD封装,具有1200V击穿电压、44A集电极电流(Tc=25℃)、低导通压降(VCE(sat)典型值约2.1V)及优化的开关特性,且“-EPBF”后缀表明其为符合航天/高可靠性标准的增强型Pb-Free(无铅)版本,具备抗辐射加固与宽温工作能力(-55℃~+175℃)。

该器件主要面向高可靠性、高功率、严苛环境下的应用场景,典型应用包括:  
1. 航天与国防电子:卫星电源管理、雷达脉冲调制器、航天器推进系统驱动;  
2. 工业级高端电源:大功率不间断电源(UPS)、工业变频器主逆变桥臂、感应加热电源主开关;  
3. 新能源基础设施:光伏并网逆变器直流侧高压斩波/旁路保护、风电变流器中压模块;  
4. 特种装备:电磁发射系统(如电磁弹射预研平台)、高能物理实验电源、核设施稳压控制系统。

其高雪崩耐量、低开关损耗及优异的短路耐受能力(10μs),特别适合需长期稳定运行、不可频繁维护且对失效零容忍的场景。需配合专用栅极驱动器(如光耦隔离驱动IC)及优化PCB布局以抑制EMI并确保热可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

75ns/315ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

100A

描述

IGBT 1200V 70A 320W TO247AD

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

200nC

IGBT类型

-

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRG7PH44K10D-EPBF

PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

2.1mJ (开), 1.3mJ (关)

TestCondition

600V,25A,10 欧姆,15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.4V @ 15V,25A

供应商器件封装

TO-247AD

功率-最大值

320W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

130ns

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

25

电压-集射极击穿(最大值)

1200V

电流-集电极(Ic)(最大值)

70A

输入类型

标准

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