Datasheet下载- 型号： IRG7PH42U-EP
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG7PH42U-EP由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG7PH42U-EP价格参考。International RectifierIRG7PH42U-EP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRG7PH42U-EP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRG7PH42U-EP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRG7PH42U-EP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的增强型功率半导体器件，属于高性能、高可靠性 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），采用 TO-247-4L 封装并带开尔文发射极（Kelvin Emitter）引脚，专为严苛工业与航天级应用设计（“-EP”后缀代表 Enhanced Product，符合 AEC-Q101 修订版及高可靠性标准，支持 extended temperature range 和 enhanced screening）。 其典型应用场景包括： ✅ 航天与国防电子系统：如卫星电源管理、星载电机驱动器、雷达脉冲调制器等，得益于其抗辐射加固潜力、宽温工作范围（−55°C 至 +175°C）和长期可靠性； ✅ 高可靠性工业变频器/伺服驱动器：用于精密数控机床、机器人关节驱动，Kelvin 发射极结构显著降低驱动回路电感，提升开关一致性与dv/dt抗扰性； ✅ 新能源发电系统：如风力变流器中三电平NPC拓扑的中点开关单元，支持高频硬开关与低导通损耗（VCE(sat) ≈ 1.7 V @ IC = 30 A）； ✅ 车载充电机（OBC）与DC-DC转换器（符合车规筛选要求）：虽非AEC-Q100车规主芯片，但EP等级使其适用于部分车载辅助电源或特种车辆高压平台。 该器件不适用于普通消费类电子产品，主要面向对寿命、失效安全、温度稳定性及批次一致性有极高要求的领域。需配合优化驱动电路（如负压关断、米勒钳位）以发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 25ns/229ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 90A |
| 描述 | IGBT 1200V 90A 385W TO247ADIGBT 晶体管 1200V 90A |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 157nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG7PH42U-EP- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRG7PH42U-EP |
| PCN组件/产地 | |
| SwitchingEnergy | 2.11mJ （开）， 1.18mJ （关） |
| TestCondition | 600V, 30A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，30A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
| 其它名称 | IRG7PH42UEP |
| 功率-最大值 | 385W |
| 功率耗散 | 385 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 153ns |
| 商标 | International Rectifier |
| 在25C的连续集电极电流 | 90 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 30 V |
| 标准包装 | 25 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 90A |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 2 V |
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