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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFU1920
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU1920由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU1920价格参考。HarrisIRFU1920封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFU1920参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFU1920 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFU1920 是由 International Rectifier（现属 Infineon Technologies）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，并非 Harris Corp.（哈里斯公司）的产品。Harris Corp.（2015 年与 L3 Technologies 合并为 L3Harris Technologies）主营国防通信、电子战、航天系统及射频/微波组件，不设计或制造 IRFU1920 这类通用功率 MOSFET。该型号的制造商为 IR（后被英飞凌收购），属于工业级通用功率开关器件，非射频专用器件。 IRFU1920 的典型参数为：VDS = 200 V，ID = 14 A（TC = 25°C），RDS(on) ≈ 0.18 Ω，采用 TO-251（IPAK）表面贴装封装。其设计目标是中等功率 DC-DC 转换、电机驱动、电源开关、LED 驱动、逆变器和电池保护电路等硬开关应用，而非高频射频放大场景。 需特别注意：IRFU1920 不属于“射频 MOSFET”类别。真正的射频 MOSFET（如 NXP MRF 系列、Cree CGHV 系列）具有优化的栅极电容、高 fT/fmax、低反馈电容（Crss）及匹配的输入/输出阻抗，适用于 10 MHz–数 GHz 频段的功率放大。而 IRFU1920 的开关频率通常限于几十 kHz 至数百 kHz（如开关电源），在射频频段增益与效率极低，不适用于射频功放、发射模块等场景。 综上：该器件无 Harris Corp. 关联；非射频专用器件；实际应用场景为中低压、中功率的工业控制与电源管理领域。选型时请以官方数据手册（Infineon 文档编号 IRFU1920PbF）为准，避免误用于射频系统。
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图文手册
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