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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR121由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR121价格参考。HarrisIRFR121封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR121参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR121 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR121 是由 International Rectifier(现已被英飞凌 Infineon 收购)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,并非 Harris Corporation(哈里斯公司)的产品。Harris Corporation 主要专注于通信、国防电子、航空航天和半导体(如模拟/混合信号IC、RF器件等),但未设计或制造IRFR系列MOSFET;该型号属于IR(International Rectifier)经典低压功率MOSFET产品线。 IRFR121 的典型参数:VDS = 100 V,ID(连续)≈ 5.5 A(TC=25°C),RDS(on) ≈ 0.27 Ω,TO-252(DPAK)表面贴装封装,具备快速开关、低栅极电荷和逻辑电平兼容(VGS(th) 约2–4 V)等特点。 主要应用场景包括: - 中小功率DC-DC转换器(如BUCK电路中的同步整流或主开关); - 电机驱动(如直流有刷电机调速、步进电机驱动的H桥低端开关); - 电源管理模块(如电子负载、电池保护电路、LED恒流驱动); - 工业控制板、家电(如洗衣机、空调风扇控制)、UPS及逆变器辅助电路; - 替代传统双极型晶体管,实现高效、易驱动的开关功能。 注意:选用时需关注散热(建议加散热焊盘)、驱动电压稳定性及SOA(安全工作区),避免雪崩或热失效。若需Harris原厂器件,建议查阅其HFA/HMC系列射频MOSFET或专用接口IC。