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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFPG42
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFPG42由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFPG42价格参考￥12.25-￥13.05。HarrisIRFPG42封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFPG42参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFPG42 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFPG42 是由 International Rectifier（现属 Infineon Technologies）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，并非 Harris Corp.（哈里斯公司）的产品。Harris Corp. 主要专注于通信、航空电子、国防系统及射频/微波集成电路等领域，不设计或制造分立功率MOSFET器件；IRFPG42 的品牌归属为 IR（International Rectifier），后被英飞凌收购。 该器件典型参数：VDSS = 1000 V，ID（连续）= 1.6 A，RDS(on) ≈ 8 Ω（@ VGS=10 V），采用 TO-204AA（即 TO-3）金属封装，具备高耐压、适中电流能力与良好雪崩耐受性。 其主要应用场景包括： - 高压开关电源（如工业 AC-DC 转换器、CRT 显示器/电视机的行输出电路）； - 电机控制中的中小功率直流电机驱动（如风扇、泵类负载的斩波控制）； - 固态继电器（SSR） 和 电磁阀/螺线管驱动电路； - 电容放电电路、高压脉冲发生器 及 X射线设备辅助电源 等需耐受瞬态高压与重复开关的场合。 需注意：因 RDS(on) 较高、开关速度中等，不适用于高频（>100 kHz）或大电流（>3 A）应用；设计时应重视散热（TO-3 封装需配合适当散热器）及栅极驱动保护（防振荡与过压）。 综上，IRFPG42 是一款面向中等功率、高电压、低频开关场景的耐用型功率MOSFET，但其制造商非 Harris Corp.，选型时请以英飞凌/IR官方资料为准。
产品参数
图文手册
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