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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHS8242TR2PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHS8242TR2PBF价格参考。International RectifierIRFHS8242TR2PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFHS8242TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFHS8242TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFNMOSFET MOSFT 25V 8.5A 13mOhm 4.3 Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.9 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHS8242TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFHS8242TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 10.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 5.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 653pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13 毫欧 @ 8.5A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-PQFN(2x2) |
| 其它名称 | IRFHS8242TR2PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 5.4 ns |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-PowerVQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-10 2x2 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/InternationalRectifier/pqfn2x2.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.9A (Ta), 21A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhs8242pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhs8242pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |