图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFH8316TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH8316TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH8316TRPBF价格参考。International RectifierIRFH8316TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH8316TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH8316TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFH8316TRPBF 是 Texas Instruments（TI）收购国际整流器公司（IR）后沿用的高性能N沟道增强型MOSFET（原属IR产品线），非TI自主设计型号，但由TI负责销售与支持。该器件采用5×6 mm PQFN封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值仅1.7 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID可达120 A）、快速开关特性及优异热性能。 典型应用场景包括： - 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器/通信设备的POL（负载点）转换器、VRM（电压调节模块）及大电流同步降压转换器中，作为主开关管或同步整流管； - 电机驱动系统：适用于无人机电调（ESC）、工业伺服驱动器及BLDC电机控制器中的功率级开关； - 电池管理系统（BMS）：用于高倍率充放电路径的保护与均衡开关； - LED照明驱动：在高功率可调光LED恒流驱动电路中作PWM开关； - ORing应用：在冗余电源系统中实现理想二极管功能，降低压降与功耗。 其低Qg（典型值49 nC）和优化的栅极电荷特性，有助于提升高频开关效率（如500 kHz以上），同时简化驱动设计。需注意：实际应用中应严格遵循TI官方数据手册（SPM1220）进行PCB布局、散热设计及驱动电路匹配，以确保可靠性和EMI性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 30V 50A PQFN5X6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFH8316TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3610pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 59nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.95 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH8316TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Ta）， 50A （Tc） |
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