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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH4255DTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH4255DTRPBF价格参考。International RectifierIRFH4255DTRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFH4255DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH4255DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET DUAL 25V 30A PQFNMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 84 A |
| Id-连续漏极电流 | 84 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH4255DTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH4255DTRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 31 W, 38 W |
| Pd-功率耗散 | 31 W, 38 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC, 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC, 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 61 ns, 43 ns |
| 下降时间 | 15 ns, 26 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 35µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1314pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.2 毫欧 @ 30A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN(5x6) |
| 其它名称 | IRFH4255DTRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns, 27 ns |
| 功率-最大值 | 31W, 38W |
| 功率耗散 | 31 W, 38 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | FastIRFet |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.1 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5x6 DUAL |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 10 nC, 23 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 131 S, 182 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 84 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |