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- 型号： IRFF213
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFF213由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFF213价格参考。HarrisIRFF213封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFF213参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFF213 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Harris Corporation（哈里斯公司）历史上曾涉及半导体业务，但IRFF213并非Harris Corporation生产的产品。该型号实为International Rectifier（国际整流器公司，后于2014年被英飞凌Infineon收购）推出的N沟道增强型功率MOSFET。其典型参数包括：VDS = 60V，ID（连续）≈ 2.5A，RDS(on) ≈ 0.25Ω（VGS=10V），TO-220AB封装。 IRFF213主要应用于中低功率开关场景，如： - 直流电机驱动（小型风扇、玩具、办公设备）； - 开关电源（SMPS）次级侧同步整流或辅助电源控制； - LED恒流驱动与调光电路； - 电池供电设备中的负载开关与电源管理（如便携仪器、通信模块的电源通断控制）； - 工业控制板上的继电器替代方案（实现固态开关，提升寿命与响应速度）。 需注意：该器件属通孔式（THT）封装，设计时需考虑散热（建议加装散热片）及栅极驱动保护（避免过压/振荡）。由于已停产多年，现多由Infineon兼容型号（如IRFR213N）或现代低Qg、低RDS(on) MOSFET替代。 综上，IRFF213是一款面向通用中功率开关应用的成熟MOSFET，但与Harris Corporation无关联。
产品参数
图文手册
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