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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD321由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD321价格参考。HarrisIRFD321封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFD321参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD321 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFD321 是由 International Rectifier(现已被英飞凌 Infineon 收购)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,并非 Harris Corporation 的产品。Harris Corporation(哈里斯公司)主营通信系统、国防电子、航空电子及集成电路(如模拟开关、比较器等),但未设计或量产 IRFD 系列 MOSFET;该系列属 IR 公司经典封装(DIP-4 / TO-251AA)的低压、中功率器件。 IRFD321 主要参数:VDS = 100 V,ID(连续)= 1.5 A,RDS(on) ≈ 0.7 Ω(VGS = 10 V),采用隔离式直插封装(带绝缘底座),适合无需散热器的小电流开关应用。 典型应用场景包括: ✅ 小功率开关电源中的辅助电源控制或待机电路; ✅ 电机驱动(如小型直流风扇、步进电机相位开关); ✅ 继电器/电磁阀驱动电路(替代双极型晶体管,提升开关速度与驱动效率); ✅ 电池供电设备中的负载开关(如便携仪器电源管理); ✅ 工业控制板上的隔离式数字输出通道(利用其内置源极-外壳隔离特性)。 注意:因已停产多年,现多为替代型号(如 Infineon 的 IPP080N06N 或 ST 的 STD3NK100Z);设计中需注意其较老工艺导致的阈值电压(VGS(th) 2–4 V)和栅极电荷特性,避免误触发。 综上:IRFD321 属 IR 品牌,非 Harris;适用于中小功率、低成本、空间受限的离散开关场景,强调电气隔离与简易驱动。