【未分类_IRFD313】封装/厂家_IRFD313中文资料_价格

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型号： IRFD313
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD313由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD313价格参考。HarrisIRFD313封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFD313参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFD313 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Harris Corporation（哈里斯公司）历史上曾是美国知名国防与通信企业，但其并未生产或发布过型号为IRFD313的MOSFET器件。IRFD313实为International Rectifier（国际整流器公司，后于2014年被英飞凌Infineon收购）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）表面贴装封装。

该器件典型参数：V_DS = 60 V，I_D（连续）= 3.3 A，R_DS(on) ≈ 0.27 Ω（V_GS = 10 V），具备快速开关、低栅极电荷和内置ESD保护等特点。

主要应用场景包括：  
✅ 中小功率开关电源（如AC-DC适配器、DC-DC模块中的同步整流或主开关）；  
✅ 电机驱动电路（如直流有刷电机、步进电机的H桥低端开关）；  
✅ 电池管理与负载开关（如便携设备中的电源通断控制、电池充放电保护）；  
✅ LED驱动与照明控制（PWM调光中的高速开关元件）；  
✅ 工业控制板卡、自动化设备中的隔离式功率接口。

需注意：该器件为逻辑电平兼容（V_GS(th) ≈ 2–4 V），可直接由微控制器IO驱动，适合空间受限的SMT设计。实际选型时应关注散热条件（建议敷铜散热）及SOA（安全工作区）限制。

综上，IRFD313属通用型中压中电流MOSFET，广泛用于消费电子、工业控制及电源领域，但与Harris Corporation无关联。

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