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- 型号： IRFD121
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD121由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD121价格参考。HarrisIRFD121封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFD121参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFD121 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFD121 是由 Harris Corporation（现已被 Exar 公司收购，后并入 MaxLinear）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DIP-4（塑料双列直插）封装，具有 100V 漏源电压（VDS）、最大 1.3A 连续漏极电流（ID）及较低的导通电阻（RDS(on) ≈ 0.5Ω @ VGS=10V）。其内置快速恢复体二极管，开关速度快、驱动简单。 典型应用场景包括： ✅ 中小功率开关电源：如 AC-DC 适配器、离线式反激变换器中的初级侧开关（适用于低功率设计，<15W）； ✅ 电机控制电路：驱动直流有刷小电机、继电器、电磁阀等感性负载，常用于工业控制板、家电控制模块； ✅ LED 驱动与调光：作为 PWM 开关元件，实现恒流/调光控制（需注意散热与峰值电流限制）； ✅ 电池供电设备保护：用于电子保险丝、充放电路径管理或反向极性保护（配合外部电路）； ✅ 教育与原型开发：DIP 封装便于插接在实验板上，适合教学演示和功能验证。 注意事项：该器件为通孔封装，热性能受限，连续工作时需加小型散热片；不适用于高频（>100kHz）或大电流（>2A）场景；设计中应确保栅极驱动电压稳定（推荐 ≥10V），并加入适当栅极电阻以防振荡。 （注：Harris 已不再生产该型号，目前多为库存或替代型号如 Vishay SIHF121、STP12NF10 等兼容使用。）
产品参数
图文手册
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