Datasheet下载- 型号： IRFD113
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD113由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD113价格参考。VishayIRFD113封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFD113参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFD113 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFD113是由Vishay Siliconix生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - IRFD113适用于各种直流-直流转换器（DC-DC Converter）和开关模式电源（SMPS）中，作为主开关或同步整流元件。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高电源效率。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关控制。 - 可以在H桥、半桥或全桥拓扑中用作功率开关。 3. 负载开关 - 在消费电子设备（如手机充电器、笔记本电脑适配器等）中，IRFD113可用作负载开关，实现快速启停和保护功能。 4. 电池管理 - 用于便携式设备中的电池保护电路，防止过充、过放或短路。 - 其低导通电阻可降低电池路径上的电压降，延长电池寿命。 5. 信号切换 - 在音频设备或多路复用器中，IRFD113可以用作信号切换元件，实现不同信号源之间的切换。 6. 逆变器 - 在小型逆变器应用中，IRFD113可以作为功率开关，将直流电转换为交流电。 7. LED驱动 - 用于高亮度LED照明系统中，通过PWM调光方式控制LED亮度。 8. 保护电路 - 在过流保护、短路保护和热保护电路中，IRFD113可以充当关键的开关元件。 特性优势： - 低导通电阻：典型值为0.18Ω（@ Vgs=10V），降低功率损耗。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 高电流能力：最大 drain-source 电流可达11A，满足多种功率需求。 - 紧凑封装：TO-220封装便于散热和安装。 综上所述，IRFD113凭借其优异的性能，在消费电子、工业控制、通信设备等领域有着广泛的应用前景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRFD113 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 800 毫欧 @ 800mA， 10V |
| 供应商器件封装 | 4-HVMDIP |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 800mA （Tc） |
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