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  • 型号: IRFD111
  • 制造商: Harris
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD111由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD111价格参考。HarrisIRFD111封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFD111参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD111 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Harris Corporation(哈里斯公司)历史上曾涉足半导体业务,但其半导体部门于1998年被Intersil收购,而IRFD111实际由International Rectifier(国际整流器公司,后于2014年被英飞凌收购)设计并生产,并非Harris Corporation自有型号。因此,“品牌为Harris Corporation的IRFD111”属于常见误标或历史混淆。

IRFD111是一款N沟道增强型垂直DMOS功率MOSFET,采用DIP-4(双列直插)塑料封装,耐压100V,连续漏极电流约1.5A(Tc=25℃),具有低栅极电荷与快速开关特性。

典型应用场景包括:  
- 小功率开关电源中的同步整流或主控开关;  
- 电机驱动电路(如直流有刷电机调速、继电器/电磁阀驱动);  
- UPS、逆变器及电池管理系统的隔离式DC-DC转换模块;  
- 工业控制板、仪器仪表中的负载开关与保护电路;  
- 汽车电子辅助系统(如车灯控制、风扇驱动等符合AEC-Q101前的通用级应用)。

需注意:该器件为通孔封装,适合中低频(≤100kHz)开关场景,不适用于高频谐振变换器;设计时应重视PCB散热与栅极驱动稳定性(建议加装10–100Ω限流电阻及反向二极管钳位)。

综上,IRFD111定位为经济可靠的中小功率开关器件,广泛用于对成本、可靠性与易用性要求较高的嵌入式及工业控制场合。(字数:398)
产品参数 图文手册 常见问题
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