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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBC42R由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBC42R价格参考。HarrisIRFBC42R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFBC42R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFBC42R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFBC42R并非Harris Corp.(哈里斯公司)的产品,而是由International Rectifier(国际整流器公司,现已被Infineon英飞凌收购)设计和生产的N沟道增强型高压功率MOSFET。Harris Corp. 主要专注于通信、航空航天、国防电子系统及射频/微波集成电路等领域,并不生产或销售分立功率MOSFET器件。 IRFBC42R的典型参数包括:耐压VDSS = 600 V,连续漏极电流ID = 3.5 A(TC=25°C),RDS(on) ≈ 2.5 Ω,TO-220封装。其应用场景主要集中在中功率开关领域,例如: - 小功率开关电源(SMPS)中的主开关管或PFC升压开关; - 离线式AC-DC适配器与充电器; - 电机控制电路(如小型直流风机、步进电机驱动的H桥侧开关); - 电子镇流器、LED驱动电源中的高频斩波开关; - 不间断电源(UPS)和逆变器中的辅助功率级。 需注意:该器件属早期型号,现已逐步被更低RDS(on)、更优开关性能的新型MOSFET(如Infineon的IPA60R280P7)替代;且因SOA(安全工作区)限制,不适用于高di/dt或强感性负载的硬开关连续重载工况。 综上,IRFBC42R无Harris Corp.关联,实际归属为IR/Infineon,适用于中压、中小电流的工业及消费类开关电源应用。