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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFBC42
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBC42由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBC42价格参考。HarrisIRFBC42封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFBC42参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFBC42 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFBC42 是由 International Rectifier（现属英飞凌 Infineon）生产的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，并非 Harris Corporation 的产品。Harris Corporation（哈里斯公司）主营通信、国防电子与半导体（如模拟/混合信号IC、FPGA等），但从未设计或量产IRFBC42；该型号属于IR（International Rectifier）经典HEXFET™系列。 IRFBC42典型参数：耐压VDS = 600 V，连续漏极电流ID = 2.2 A（TC=25°C），RDS(on) ≈ 3 Ω，TO-220封装。其应用场景主要包括： - 开关电源（SMPS）：用于反激式、正激式变换器的主开关管，适用于AC-DC适配器、工业电源等中低功率场合（约数十瓦）； - 电机控制：驱动小型直流电机或步进电机的H桥/单端开关； - 照明电子：电子镇流器、LED驱动电路中的高频开关元件； - 电感负载驱动：继电器、电磁阀等感性负载的缓冲开关应用； - UPS及逆变器辅助电路：作为隔离驱动或辅助电源开关。 需注意：该器件属较早期型号（已停产多年），现多被更高效、更低RDS(on)的现代MOSFET（如Infineon IPP60R190C7）替代。设计中应核查最新替代料及可靠性验证。 （注：若用户误将“Harris”与“IR”混淆，建议确认数据手册来源——官方IR文档明确标注制造商为International Rectifier。）
产品参数
图文手册
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