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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBC40R由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBC40R价格参考。HarrisIRFBC40R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFBC40R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFBC40R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFBC40R 是由 International Rectifier(现属 Infineon Technologies)生产的一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET,并非 Harris Corporation 的产品。Harris Corporation(哈里斯公司)历史上主营通信、国防电子、半导体(如模拟/混合信号IC、射频器件等),但从未设计或量产 IRFBC40R 这类功率MOSFET;该型号属于 IR(International Rectifier)经典“IRF”系列,后由英飞凌(Infineon)继承。 IRFBC40R 主要参数:耐压 600V,连续漏极电流约 6.2A(Tc=25℃),Rds(on) 典型值 1.2Ω,TO-220 封装。其典型应用场景包括: - 开关电源(SMPS):用于反激式、正激式或半桥拓扑的主开关管,适用于中小功率 AC-DC 适配器、工业电源; - 电机控制:驱动小型直流电机或步进电机的H桥低端开关; - 照明电子镇流器:在荧光灯、HID灯电子镇流器中作高频开关; - UPS 和逆变器:作为 DC-AC 逆变环节的功率开关(需并联或多管使用以提升功率); - 电磁炉/感应加热:在谐振变换器中承担高频开关任务(需注意散热与驱动优化)。 需注意:该器件已逐步被更新型低导通电阻、快开关速度、内置保护功能的MOSFET(如 Infineon 的IPA/IPP系列)替代,新设计建议评估替代型号。应用时须重视栅极驱动、散热设计及电压/电流尖峰抑制。