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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9511由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9511价格参考。HarrisIRF9511封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF9511参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9511 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF9511 是一款由英飞凌(Infineon)推出的 P 沟道增强型 MOSFET,采用 TO-220 封装,具有 -60V 漏源电压(VDS)、-17A 连续漏极电流(ID,TC=25°C)及典型导通电阻 RDS(on) ≈ 0.18Ω(VGS = -10V)。其低栅极电荷与快速开关特性,适用于中功率、中频开关应用。 典型应用场景包括: ✅ DC-DC 电源转换:常用于同步降压(Buck)或反激式(Flyback)电源的高边开关或负载开关,实现高效电压调节; ✅ 电机驱动控制:在中小功率直流电机(如风扇、泵、电动工具)的 H 桥或半桥电路中,作为上桥臂 P-MOS 实现方向/使能控制; ✅ 电源管理与负载开关:用作板级电源的热插拔(Hot-swap)保护、电池供电系统的电源通断控制(如便携设备的主电源关断),利用其低导通损耗和易驱动特性; ✅ 逆变器与照明驱动:在 LED 恒流驱动或小型离网逆变器中,配合 N-MOS 构成互补推挽输出级; ✅ 工业控制接口:驱动继电器、电磁阀等感性负载,需搭配续流二极管使用。 注意:IRF9511 为逻辑电平兼容型(VGS(th) ≈ -2V 至 -4V),可直接由 MCU 的 3.3V/5V IO 驱动,但高频大电流下建议加栅极驱动电阻以抑制振荡。实际应用中需关注散热设计(TO-220 封装需配合适当散热片)及雪崩耐量(具备一定非重复雪崩能力,适用于感性负载关断保护)。 (字数:398)