【未分类_IRF830】封装/厂家_IRF830中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： IRF830
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF830由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF830价格参考。ON SemiconductorIRF830封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRF830参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF830 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

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参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	STMicroelectronics
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	IRF830
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	PowerMESH™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	610pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	30nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.5 欧姆 @ 2.7A，10V
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	497-2732-5
功率-最大值	100W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.5A （Tc）

参数	数值
ChannelMode	Enhancement
Id-ContinuousDrainCurrent	4.5 A
Id-连续漏极电流	4.5 A
品牌	Vishay / Siliconix
产品目录	半导体
描述	MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	否
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF830
产品型号	IRF830
Pd-PowerDissipation	74 W
Pd-功率耗散	74 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	1.5 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	1.5 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	500 V
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	16 ns
下降时间	16 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	42 ns
功率耗散	74 W
商标	Vishay / Siliconix
安装风格	Through Hole
导通电阻	1.5 Ohms
封装	Tube
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
汲极/源极击穿电压	500 V
漏极连续电流	4.5 A
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	+/- 20 V