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Datasheet下载- 型号： IRF7420PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7420PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7420PBF价格参考。International RectifierIRF7420PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7420PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7420PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF7420PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） IRF7420PBF适用于开关电源中的功率转换电路，例如DC-DC转换器和AC-DC适配器。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其能够高效地处理高频开关操作。 2. 电机驱动 该器件可应用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力和低功耗特性非常适合电机驱动应用。 3. 电池管理系统（BMS） 在电池保护和管理电路中，IRF7420PBF可以用作充电/放电控制开关，确保电池在安全的工作范围内运行，同时减少能量损耗。 4. 负载切换 该MOSFET适用于各种负载切换应用，例如汽车电子、消费电子设备中的电源管理模块。它能够快速响应并可靠地切换负载，同时保持低热损耗。 5. 逆变器和UPS系统 IRF7420PBF可用于不间断电源（UPS）和逆变器的设计中，作为功率级开关元件，实现高效的电压转换和波形生成。 6. LED驱动 在大功率LED照明应用中，该器件可用作PWM调光控制开关，提供稳定的电流输出以确保LED亮度一致且节能。 特性总结： - 工作电压：高达30V，适合低压系统。 - 连续漏极电流：高达8A（@Tc=25°C），支持较高负载电流。 - 低导通电阻：典型值为9.5mΩ，降低功耗。 - 快速开关速度：减小开关损耗，提高效率。 这些特性使IRF7420PBF成为多种电力电子应用的理想选择，尤其是在需要高效能、低功耗和高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOICMOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 14mOhms 38nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 11.5 A |
| Id-连续漏极电流 | - 11.5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7420PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7420PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 38 nC |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 8.8 ns |
| 下降时间 | 225 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3529pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 11.5A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 291 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.5A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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