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- 型号： IRF730
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF730由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF730价格参考。ON SemiconductorIRF730封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF730参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF730 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF730 是 ON Semiconductor（安森美）旗下一款经典的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，主要参数包括：耐压 VDS = 400 V，连续漏极电流 ID = 5.5 A（TC = 25°C），导通电阻 RDS(on) 典型值约 1.0 Ω（VGS = 10 V），开关速度快、驱动简单。 其典型应用场景包括： ✅ 中小功率开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的主开关管或PFC电路开关器件； ✅ 电机控制：用于直流有刷电机、小型风机、水泵等低压/中压（≤400 V）PWM调速驱动； ✅ 照明电子镇流器与HID灯启动电路：利用其高耐压特性实现高频斩波与点火控制； ✅ 逆变器与UPS系统：在离线式后备电源或小功率工频/高频逆变模块中作功率开关； ✅ 工业控制与继电器替代：作为固态开关，驱动电磁阀、加热元件等感性负载，具备过载和雪崩耐受能力（IRF730 具备一定UIS能力）。 需注意：该器件为通孔封装、需散热器；设计时应确保栅极驱动电压≥10 V以充分饱和，避免线性区功耗过大；在高频应用中建议优化PCB布局以抑制寄生振荡。虽为成熟型号，现多被更高效、低RDS(on)的新型MOSFET（如NV系列）替代，但在成本敏感、可靠性要求高且频率不高的工业场景中仍广泛应用。
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