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  • 型号: IRF6709S2TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6709S2TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6709S2TRPBF价格参考。International RectifierIRF6709S2TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF6709S2TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6709S2TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRF6709S2TRPBF

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1810pF @ 13V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.8 毫欧 @ 19A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

供应商器件封装

DIRECTFET S1

功率-最大值

2.2W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

DirectFET™ 等容 S1

标准包装

4,800

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Ta), 39A (Tc)

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