Datasheet下载- 型号： IRF6709S2TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6709S2TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6709S2TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6709S2TR1PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6709S2TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6709S2TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6709S2TR1PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1010pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.8 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | DIRECTFET S1 |
| 其它名称 | IRF6709S2TR1PBFDKR |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 S1 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 39A （Tc） |
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