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IRF6636TR1产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRF6636TR1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.45V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2420pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.5 毫欧 @ 18A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ ST |
| 其它名称 | IRF6636TR1TR |
| 功率-最大值 | 2.2W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 ST |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Ta), 81A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6636.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6636.spi |