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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF647由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF647价格参考。HarrisIRF647封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF647参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF647 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF647 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(由 International Rectifier 原厂生产,现属英飞凌),采用 TO-220 封装,典型参数:VDS = 200 V,ID(连续)≈ 8 A,RDS(on) ≈ 0.5 Ω(VGS = 10 V),具备较快的开关速度和较低的驱动要求。 其主要应用场景包括: ✅ 中功率开关电源(SMPS):如AC-DC适配器、LED驱动电源中的主开关管或同步整流辅助开关; ✅ 电机控制:用于直流有刷电机(≤200W)、步进电机驱动或风扇调速电路中的H桥/半桥下管; ✅ 逆变与功率转换:在小功率DC-AC逆变器、UPS后备电源或太阳能控制器中承担高频通断功能; ✅ 电子负载与电源保护:用作过流/过压保护的电子保险丝(e-Fuse)或软启动开关; ✅ 工业与家电控制:电磁阀、继电器驱动、电热控制等需隔离、快速响应的中压开关场合。 注意:IRF647 已属较成熟型号,目前多被性能更优(如更低RDS(on)、更高可靠性)的替代品(如 IRF640N、STP20NF20 或现代超结MOSFET)逐步更新,新设计建议评估兼容性及供货情况。应用时需确保栅极驱动电压充足(推荐 ≥10 V)、配备适当散热(尤其在连续导通或高频率下),并加入栅极电阻与TVS保护以防振荡与静电损伤。