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- 型号： IRF645
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF645由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF645价格参考。HarrisIRF645封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF645参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF645 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF645 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（由国际整流器公司 IR，现属英飞凌出品），采用 TO-220 封装，典型参数包括：VDSS = 200V、ID = 13A（TC=25°C）、RDS(on) ≈ 0.28Ω（VGS=10V）。其应用场景主要集中在中等电压、中等电流的开关与功率控制领域： 1. 开关电源（SMPS）：常用于反激式、正激式或半桥拓扑中的主开关管，适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、工业电源模块等。 2. 电机控制：驱动直流有刷电机（如风扇、泵、电动工具）或作为H桥中的一臂，实现PWM调速与方向控制（需搭配驱动电路及保护措施）。 3. 电子负载与电源调节：在可编程电子负载、线性/开关式稳压器的调整管（如LDO后级扩流或并联式稳压）中用作功率通路器件。 4. 逆变与照明控制：用于低压DC-AC逆变器（如小功率方波/修正波逆变器）、大功率LED恒流驱动的PWM调光开关。 5. 工业控制与继电器替代：在PLC输出模块、固态继电器（SSR）中替代机械触点，实现高速、无火花、长寿命的通断控制。 注意：IRF645 属于较早期型号，导通电阻和开关损耗相对较高，不适用于高频（>100kHz）或高效率要求严苛场合；实际应用中需确保栅极驱动电压充足（推荐≥10V）、配备足够散热（如加装散热片）、并加入过压/过流/静电保护（如TVS、RC缓冲电路）。已逐步被更低RDS(on)、更优SOA的新型MOSFET（如IRF644、STP20NF20等）替代，但仍广泛用于维修替换及成熟低成本设计中。
产品参数
图文手册
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