【未分类_IRF613】封装/厂家_IRF613中文资料_价格

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型号： IRF613
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF613由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF613价格参考。HarrisIRF613封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRF613参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF613 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF613 是一款由国际整流器公司（IR）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装。其典型参数包括：V_DS = 400 V、I_D（连续）≈ 2.5 A（T_C=25°C）、R_DS(on) ≈ 5 Ω（较早期中压MOSFET，导通电阻偏高），具备快速开关特性与内置体二极管。

主要应用场景包括：  
1. 中小功率开关电源：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的初级侧开关（适用于几十瓦级低频或准谐振拓扑）；  
2. 电机控制：用于直流有刷电机（如小家电、电动工具、办公设备）的PWM调速与启停控制；  
3. 继电器/电磁阀驱动：作为固态开关替代机械继电器，驱动感性负载（需配合续流二极管）；  
4. 照明控制：在调光电路或电子镇流器中作高频开关元件；  
5. 工业控制模块：PLC输出单元、传感器接口等中低频开关场合。

需注意：IRF613 已属成熟期/逐步淘汰型号（被IRF620、IRF630及更优的逻辑电平/超结MOSFET如STP4NK60Z等替代），现多见于维修替换或成本敏感型传统设计中。设计时应关注其相对较高的导通损耗与栅极驱动要求（推荐V_GS ≥ 10 V以确保充分导通），并做好散热与过压保护。

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