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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5810TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5810TR价格参考。International RectifierIRF5810TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF5810TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF5810TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRF5810TR是一款MOSFET阵列器件,属于功率场效应晶体管(FET)类别。该器件通常包含多个MOSFET单元集成在一个封装中,具有高效、高速和低导通电阻的特点。 IRF5810TR主要应用于需要高效率功率转换和控制的场合,例如: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器等,用于提高能量转换效率。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机控制电路中作为开关元件,实现精确的速度与方向控制。 3. 负载开关:用于智能电源分配系统,控制不同负载的开启与关闭,保护电路免受过载影响。 4. 工业自动化设备:如PLC(可编程逻辑控制器)中的输出模块,控制执行机构的运行。 5. 汽车电子:如车身控制模块、车灯控制、电动窗驱动等场景,提供可靠和紧凑的功率控制方案。 由于其集成设计,IRF5810TR有助于减少PCB空间占用并提升系统的可靠性,适合对空间和效率有要求的应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRF5810TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 2.9A,4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 960mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP(0.059",1.50mm 宽) |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.9A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf5810.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf5810.spi |