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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRF521
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF521由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF521价格参考。HarrisIRF521封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF521参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF521 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Harris Corporation（哈里斯公司）历史上曾涉足半导体领域，但IRF521并非Harris Corporation生产的产品。该型号实际由International Rectifier（国际整流器公司，现属英飞凌Infineon Technologies）设计与制造，属于N沟道增强型功率MOSFET。 IRF521主要参数：耐压VDS = 100 V，连续漏极电流ID = 3.5 A（TC=25°C），导通电阻RDS(on)典型值约1.2 Ω，采用TO-220封装。 其典型应用场景包括： ✅ 中低功率开关电源（如AC-DC适配器、DC-DC转换器中的同步整流或主开关）； ✅ 电机驱动电路（小型直流电机、步进电机的H桥或单路驱动）； ✅ 照明控制（LED调光、卤素灯/荧光灯电子镇流器）； ✅ 继电器/电磁阀驱动（作为固态开关替代机械触点）； ✅ 电池保护与电源管理模块（过流/负载开关控制）。 需注意：IRF521为较早期型号（1980–90年代主流），现已逐步被更低RDS(on)、更高效率、更优热性能的现代MOSFET（如IRFZ44N、AO3400等）替代。设计中应查阅最新版英飞凌官方数据手册，并注意栅极驱动电压（推荐10 V）、散热设计及SOA（安全工作区）限制。 综上，IRF521适用于对成本敏感、功率适中（≤50 W）、开关频率不高（通常≤100 kHz）的工业与消费类电子开关应用。
产品参数
图文手册
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