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- 型号： IRF431
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF431由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF431价格参考。HarrisIRF431封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF431参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF431 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF431 是 International Rectifier（现属英飞凌 Infineon）推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装。其典型参数包括：VDS = 500 V、ID（连续）≈ 4.6 A（TC=25°C）、RDS(on) ≈ 1.4 Ω（典型值），具备快速开关特性与较低的栅极电荷。 该器件主要应用于中等功率、中高压直流开关场景，常见于： 1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或辅助电源中的高压侧开关，适用于反激式、正激式等拓扑； 2. 电机控制：驱动小型直流电机、步进电机或风扇，尤其在 24–48 V 工业控制板中作PWM功率级； 3. 照明电子镇流器与LED驱动：用于高频调光/恒流控制电路中的功率开关； 4. 家电与工业控制：如电磁炉、电焊机辅助电源、继电器替代电路、过压/过流保护模块等； 5. 电池管理系统（BMS）：用作高压电池组的充放电隔离或预充电控制开关（需配合驱动与保护电路）。 需注意：IRF431 属于早期通用型高压MOSFET，未集成雪崩耐量强化或超结结构，设计时应留足电压裕量（建议工作电压 ≤ 350 V），并确保良好散热与栅极驱动（推荐10–15 V驱动，避免振荡）。当前已逐步被更高效、低RDS(on)的现代系列（如Infineon OptiMOS™）替代，但仍在维修替换及成本敏感型传统设备中广泛使用。
产品参数
图文手册
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