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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRF331
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF331由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF331价格参考。HarrisIRF331封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF331参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF331 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF331 是由 International Rectifier（现属 Infineon Technologies）设计制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，并非 Harris Corp.（哈里斯公司）的产品。Harris Corp. 主要专注于通信、国防电子、航天系统及射频/微波集成电路等领域，未生产或销售 IRF331 这类分立功率MOSFET器件。该型号自20世纪80年代起由 IR 推出，广泛见于其数据手册与产品线中。 IRF331 典型参数包括：VDS = 100 V，ID（连续）≈ 5.5 A，RDS(on) ≈ 0.4 Ω（典型值），采用 TO-220 封装。其应用场景主要包括： - 中小功率开关电源（如AC-DC适配器、DC-DC转换器）中的主开关或同步整流； - 电机驱动电路（如直流有刷电机调速、步进电机相驱动）； - 电子负载、LED恒流驱动及电池保护电路中的功率开关； - 工业控制中的继电器替代、PWM调光/调压模块。 需注意：该器件为早期工艺产品，已逐步被更高效、低导通电阻的现代MOSFET（如IRFZ44N、IRLZ44N等）替代；设计中应核查最新供货状态及替代方案。若项目中标注“Harris Corp.”为品牌，极可能是信息误标或混淆（例如将Harris用于系统级设备，而IRF331仅为其子板所用第三方器件）。建议以官方数据手册（Infineon/IR）为准进行选型与设计。
产品参数
图文手册
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