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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1407STRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1407STRLPBF价格参考。International RectifierIRF1407STRLPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF1407STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1407STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌)的型号为IRF1407STRLPBF的MOSFET,属于高性能N沟道功率场效应晶体管(FET),广泛应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和优良的热性能,适用于多种功率转换和开关控制场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动:在直流电机、步进电机或无刷电机控制电路中作为功率开关元件。 3. 负载开关:用于控制高功率负载的开启与关闭,例如照明系统、加热元件等。 4. 逆变器与变频器:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器及工业变频设备中实现电能形式的转换。 5. 汽车电子:如车载充电系统、电机控制模块等,符合AEC-Q101标准,适合汽车环境应用。 6. 工业自动化:在PLC、伺服驱动器及其他工业控制设备中作为关键功率器件。 IRF1407STRLPBF采用表面贴装封装(如DPAK),便于自动化生产和良好的散热设计,适合高密度、小型化电子产品设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAKMOSFET MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1407STRLPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF1407STRLPBF |
Pd-PowerDissipation | 200 W |
Pd-功率耗散 | 200 W |
Qg-GateCharge | 160 nC |
Qg-栅极电荷 | 160 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5600pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 250nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.8 毫欧 @ 78A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | IRF1407STRLPBFCT |
功率-最大值 | 3.8W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |