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- 型号： IRF122
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF122由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF122价格参考。HarrisIRF122封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF122参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF122 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF122 是 International Rectifier（现属英飞凌 Infineon）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-204AA（TO-3）金属封装，具有耐压高（VDSS = 100 V）、连续漏极电流大（ID = 9.5 A，TC = 25°C）、导通电阻较低（RDS(on) ≈ 0.27 Ω）及良好开关特性的特点。其典型应用场景包括： - 线性稳压与串联调整管：因具备良好的线性区工作能力与热稳定性，常用于大电流可调线性稳压电源（如实验室电源、音频功放偏置电路）中作为调整元件； - 电机驱动与直流负载开关：适用于中小功率直流电机（如工业风扇、泵、执行器）的启停与正向控制（需外加续流二极管）； - 开关电源（SMPS）初级侧开关：在低频硬开关拓扑（如反激式、正激式）中用作功率开关，尤其适用于对成本敏感、开关频率不高（≤50 kHz）的离线式适配器或辅助电源； - 电池保护与电源切换电路：在12–48 V系统中实现过流保护、电源冗余切换或负载隔离功能； - 音频与射频放大器输出级：曾用于部分老式AB类音频功放输出级（需严格匹配与散热设计），但因其非逻辑电平驱动（VGS(th)约2–4 V，推荐驱动电压≥10 V），需搭配合适栅极驱动。 注意：IRF122 已停产多年，属经典工业器件，现多被更高效、更易驱动的新型MOSFET（如英飞凌 OptiMOS 系列）替代，新设计建议选用升级型号；若用于维修或旧设备替换，需关注其大封装体积、较高驱动要求及热管理需求。
产品参数
图文手册
常见问题
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