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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPW65R280C6
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPW65R280C6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPW65R280C6价格参考。InfineonIPW65R280C6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPW65R280C6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPW65R280C6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPW65R280C6 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的650V、280mΩ（典型值）增强型CoolMOS™ C6系列高压超级结MOSFET，专为高效率、高功率密度开关应用优化。其主要应用场景包括： - 服务器与通信电源：广泛用于AC-DC PFC（功率因数校正）电路和LLC谐振变换器的主开关管，凭借低导通损耗（RDS(on)）与优异的开关性能（Qg/Qoss比值优），显著提升整机效率（满足80 PLUS Titanium/Platinum标准）。 - 工业电源与UPS系统：适用于中大功率（1–3kW级）开关电源、在线式不间断电源的逆变与整流级，具备高dv/dt抗扰性与强雪崩耐受能力，保障系统在过载、短路等异常工况下的可靠性。 - 太阳能光伏逆变器：作为升压级或逆变桥臂开关器件，支持高频软开关设计，降低EMI并减小磁性元件体积；C6技术带来的低Eoss特性有助于提升MPPT效率与轻载性能。 - 电动汽车车载充电机（OBC）：适用于双向AC-DC拓扑（如图腾柱PFC），支持高频率（100kHz以上）工作，配合数字控制实现紧凑化、高功率密度设计。 该器件采用TO-247封装，具备良好的热传导性能，适配主流散热方案。其驱动电压范围（10–20V）、低栅极电荷及优化体二极管特性，亦利于简化驱动设计并减少反向恢复损耗。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPW65R280C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432a7fedfc012a8aceded858e0 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPW65R280C6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 440µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 4.4A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IPW65R280C6FKSA1 |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 240 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13.8A （Tc） |
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