Datasheet下载- 型号： IPW60R199CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPW60R199CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPW60R199CP价格参考。InfineonIPW60R199CP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPW60R199CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPW60R199CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPW60R199CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、199mΩ（典型值）增强型CoolMOS™ C7系列高压超级结MOSFET，采用TO-247封装。其主要应用场景聚焦于高效率、高功率密度的中高功率开关电源系统。 典型应用包括： ✅ 工业与商用开关电源（如服务器PSU、通信电源），尤其适用于LLC谐振变换器和硬开关PFC（功率因数校正）级，凭借低导通电阻（RDS(on)）和优化的Qg/Qoss比，显著降低导通与开关损耗； ✅ 光伏逆变器的DC-DC升压级或辅助电源，支持宽输入电压范围与高可靠性运行； ✅ 不间断电源（UPS）主变换器与电池充放电模块，满足高效率（>96%）与热稳定性要求； ✅ 电动汽车车载充电机（OBC）中的PFC和DC-DC转换级（适用于3.3kW–6.6kW平台），兼容高频开关（可达100kHz以上），配合ZVS设计可进一步提升能效； ✅ 工业电机驱动、变频器的辅助电源或小功率逆变单元。 该器件具备优异的抗雪崩能力、低EMI特性及增强的dv/dt耐受性，适合在高温、高负载及高可靠性要求的工业环境中长期稳定运行。需配合优化的驱动电路与PCB布局以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPW60R199CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e44b8498f |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPW60R199CP |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 660µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1520pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 199 毫欧 @ 9.9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IPW60R199CPFKSA1 |
| 功率-最大值 | 139W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 240 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Tc） |
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