ICGOO在线商城 > IPW60R099CP
Datasheet下载- 型号： IPW60R099CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IPW60R099CP产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPW60R099CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPW60R099CP价格参考以及InfineonIPW60R099CP封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPW60R099CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPW60R099CP详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPW60R099CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、99mΩ（典型值）增强型N沟道CoolMOS™ C7系列功率MOSFET，采用TO-247封装。其核心优势在于超低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能（低Qg、Qoss）及出色的硬换向鲁棒性，适用于高效率、高功率密度的中高频开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 服务器与通信电源：用于AC-DC PFC（功率因数校正）级和LLC谐振变换器的主开关，支持80 PLUS Titanium认证所需的高效率（>96%）。 ✅ 工业电源与UPS：在1–3kW不间断电源及可编程电源中承担高频整流与逆变功能，兼顾效率与热稳定性。 ✅ 太阳能逆变器：作为组串式逆变器中DC-AC升压/逆变级的开关器件，耐受高dv/dt并提升MPPT效率。 ✅ 电动汽车车载充电机（OBC）：适配双向AC-DC拓扑（如图腾柱PFC），支持高开关频率（65–150 kHz）以减小磁性元件体积。 该器件支持高达175°C结温，内置ESD保护，配合英飞凌驱动IC（如1EDN/1EDS系列）可实现快速、可靠的栅极驱动。需注意PCB布局优化（低寄生电感）及散热设计（推荐使用导热垫片+足够铜箔面积）以发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 31A TO-247MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX PWR 650V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 31 A |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPW60R099CPCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPW60R099CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca4c24745 |
| 产品型号 | IPW60R099CP |
| Pd-PowerDissipation | 255 W |
| Pd-功率耗散 | 255 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 99 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 99 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1.2mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 99 毫欧 @ 18A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IPW60R099CPFKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 255W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 240 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
| 系列 | IPW60R099 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPW60R099CPFKSA1 SP000067147 |
.jpg)
