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- 型号： IPS105N03LG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPS105N03LG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPS105N03LG价格参考。InfineonIPS105N03LG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPS105N03LG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPS105N03LG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IPS105N03LG 是一款采用 TO-252（DPAK）封装的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on) 典型值 5.5 mΩ @ VGS = 4.5 V）、高电流能力（ID = 105 A，脉冲可达 420 A）及快速开关特性。其逻辑电平驱动（VGS(th) 低至 1.0–2.0 V）使其可直接由微控制器、DSP 或 PWM 控制器（如 3.3 V/5 V 输出）驱动，无需额外栅极驱动电路。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载电源管理、LED 车灯驱动（前照灯/尾灯调光）、电动座椅/车窗控制模块中的高侧/低侧开关；符合 AEC-Q101 可靠性标准，支持严苛车载环境。 ✅ 工业电源与电机控制：DC-DC 降压转换器（Buck）、同步整流器、中小功率 BLDC 电机驱动（如风机、泵类）中的功率开关。 ✅ 消费类与计算设备：服务器/PC 主板 VRM（电压调节模块）、USB PD 快充协议中的次级同步整流或负载开关。 ✅ 电池管理系统（BMS）：电池保护电路中的充放电主控开关，利用其低 RDS(on) 减小功耗与温升。 该器件集成 ESD 保护和雪崩耐量（UIS），具备高鲁棒性，适用于高频（数十 kHz 至数百 kHz）、中等电压（30 V 系统）、大电流的硬开关应用。需注意 PCB 散热设计（推荐大面积铜箔散热），并配合合理栅极电阻以抑制振铃、优化 EMI 性能。
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