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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPP80N06S2-H5
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP80N06S2-H5由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP80N06S2-H5价格参考。InfineonIPP80N06S2-H5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP80N06S2-H5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP80N06S2-H5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP80N06S2-H5 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，具有80A连续漏极电流（ID）、60V耐压（VDS）、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅4.5mΩ @ VGS=10V），并集成优化体二极管，具备高效率、强雪崩耐受能力与快速开关特性。 其典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：用于车载DC-DC转换器、电机驱动（如电子助力转向EPS、车窗/座椅控制）、LED前照灯调光及电池管理系统（BMS）中的充放电开关；符合AEC-Q101车规认证，支持-40°C至175°C结温运行。 ✅ 工业电源与电机控制：高频开关电源（SMPS）、UPS逆变器、伺服驱动器及中小功率（≤3kW）三相逆变模块的上/下桥臂开关。 ✅ 消费类与家电：高端变频空调压缩机驱动、洗衣机主驱、电磁炉功率输出级等需高可靠性与低损耗的场合。 ✅ 可再生能源：微型光伏逆变器、储能系统（ESS）中的直流侧开关与旁路保护电路。 该器件凭借低RDS(on)与优异的SOA（安全工作区）表现，在硬开关和部分软开关拓扑中均能兼顾效率与鲁棒性，特别适合对热管理严苛、需长期稳定运行的中大电流应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B80N06S2-H5_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4333c6c5ac2 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPP80N06S2-H5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 230µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 155nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.5 毫欧 @ 80A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | IPP80N06S2H5AKSA1 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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