Datasheet下载- 型号： IPP65R099C6XKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP65R099C6XKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP65R099C6XKSA1价格参考。InfineonIPP65R099C6XKSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP65R099C6XKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP65R099C6XKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP65R099C6XKSA1是英飞凌（Infineon Technologies）推出的650V、99mΩ增强型N沟道CoolMOS™ C6系列高压功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于低导通电阻（Rds(on)）、优异的开关性能及高可靠性，适用于高效率、高功率密度的中高频开关应用。 典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：如服务器/通信电源、工业电源中的PFC（功率因数校正）级和主DC-DC变换器，凭借C6技术实现更高效率与更低温升； - 光伏逆变器：用于单相或三相组串式逆变器的DC/AC转换级，支持高频软开关设计，提升系统MPPT效率与功率密度； - 不间断电源（UPS）：在在线式UPS的逆变输出级中提供快速响应与低损耗； - 电机驱动：适用于中小功率工业变频器、伺服驱动器的功率输出级，尤其适合需兼顾效率与EMI性能的场合； - LED驱动电源：高能效、高可靠性的隔离式大功率LED路灯/工矿灯驱动方案。 该器件支持高达130°C结温工作，内置优化体二极管，具备良好反向恢复特性（Qrr低），可减少开关损耗与电压尖峰，降低对吸收电路的要求。广泛应用于对能效、热管理及长期可靠性有严苛要求的工业与能源领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 38A TO220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPA65R099C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043341f67a1013440dbd0a55019 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPP65R099C6XKSA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1.2mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2780pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 99 毫欧 @ 12.8A， 10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 功率-最大值 | 278W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38A （Tc） |
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