Datasheet下载- 型号： IPP50R299CPXKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP50R299CPXKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP50R299CPXKSA1价格参考。InfineonIPP50R299CPXKSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP50R299CPXKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP50R299CPXKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP50R299CPXKSA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能 500V、299mΩ（典型值）N沟道增强型 CoolMOS™ C7 系列功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能及高可靠性，适用于中高功率、高效率开关电源场景。 典型应用场景包括： ✅ 服务器与通信电源：用于AC-DC整流级（PFC电路）和LLC谐振变换器的主开关管，提升能效并满足80 PLUS Titanium/Platinum标准； ✅ 工业电源与UPS系统：在高频DC-DC转换模块中承担高压侧开关，支持宽负载范围下的高效稳定运行； ✅ 光伏逆变器辅助电源：作为隔离式反激或准谐振（QR）控制器的主开关，兼顾高耐压与低损耗； ✅ 家电变频驱动电源：如空调、冰箱的内置开关电源（SMPS），满足待机功耗≤30mW的严苛要求。 该器件集成超结（Superjunction）技术，具备软开关特性、低EMI噪声及强雪崩耐受能力（UIS额定），适配高频（65–300 kHz）硬开关或软开关拓扑。需配合优化的栅极驱动（推荐12–15V驱动电压）及PCB热设计以发挥最佳性能。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP50R299CPXKSA1 |
| 产品型号 | IPP50R299CPXKSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| Qg-GateCharge | 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 299 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 0.299 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 系列 | IPP50R299 |
| 零件号别名 | SP000680938 |
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