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- 型号： IPP086N10N3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP086N10N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP086N10N3G价格参考￥3.05-￥3.25。InfineonIPP086N10N3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP086N10N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP086N10N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP086N10N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能增强型N沟道功率MOSFET，采用OptiMOS™ 3技术，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅8.6 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID达90A）、100V耐压及优异的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 服务器与通信电源：用于DC-DC同步整流、VRM（电压调节模块）和POL（负载点）转换器，提升能效与功率密度； ✅ 工业电机驱动：在变频器、伺服驱动和BLDC电机控制中作为主开关或H桥臂器件，支持高频PWM驱动与快速关断； ✅ 新能源系统：适用于光伏逆变器的辅助电源、储能系统（ESS）中的电池管理单元（BMS）保护电路及DC/DC升压模块； ✅ 汽车电子（符合AEC-Q101）：可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、LED车灯驱动及12V/48V混动系统中的高可靠性开关应用； ✅ 消费类高功率设备：如高端PC电源、游戏主机供电模块、UPS不间断电源等对效率、温升与EMI有严苛要求的场合。 该器件采用PG-TO220-3-1封装，具备优良散热性与装配兼容性，配合英飞凌成熟的驱动方案（如1ED系列栅极驱动IC），可实现高效、稳健的功率开关设计。
产品参数
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