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  • 型号: IPP065N04NG
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP065N04NG由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP065N04NG价格参考。InfineonIPP065N04NG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP065N04NG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP065N04NG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPP065N04NG 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用OptiMOS™ 5技术,具有低导通电阻(RDS(on) = 6.5 mΩ @ VGS = 10 V)、高开关效率及优异热性能(TO-220封装)。其额定电压为40 V,连续漏极电流达120 A(TC = 25°C),适用于中低压、大电流、高频开关场景。

典型应用场景包括:  
✅ 服务器与通信电源:用于DC-DC同步整流、POL(Point-of-Load)转换器及VRM模块,提升能效与功率密度;  
✅ 工业电机驱动:在BLDC电机控制器、变频器的半桥/全桥输出级中作为高速开关器件;  
✅ 汽车电子系统:符合AEC-Q101标准(注:IPP065N04NG为工业级,非车规;若需车规应用,应选用同系列车规型号如IPB065N04NG或IPA065N04NG),但常被用于车载充电机(OBC)辅助电源、LED车灯驱动等非安全关键系统;  
✅ 消费类电源设备:如高端PC电源、游戏主机供电模块、USB PD快充适配器中的主开关或同步整流管;  
✅ 电池管理系统(BMS):用于电池保护电路中的充放电控制开关,兼顾低损耗与快速响应。

该器件凭借低Qg和优化的体二极管特性,显著降低开关损耗与EMI,适合工作频率达数百kHz的硬开关拓扑(如Buck、Half-Bridge)。使用时需注意PCB散热设计与栅极驱动稳定性。
产品参数 图文手册 常见问题
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