Datasheet下载- 型号： IPP062NE7N3GXKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP062NE7N3GXKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP062NE7N3GXKSA1价格参考。InfineonIPP062NE7N3GXKSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP062NE7N3GXKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP062NE7N3GXKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP062NE7N3GXKSA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO220-3-1封装，具有7.3 mΩ（典型值）超低导通电阻（RDS(on)）、75 V额定电压及120 A高脉冲电流能力。其优化的CoolMOS™ 7技术兼顾开关速度与导通损耗，具备出色的dv/dt抗扰性与雪崩耐量。 典型应用场景包括： ✅ 工业电源：服务器/通信电源中的同步整流、DC-DC转换器（如48 V–12 V POL模块）及AC-DC前端开关管； ✅ 电机驱动：中小功率BLDC电机控制器（如风扇、泵、电动工具）中的H桥下管或单相驱动开关； ✅ 新能源系统：光伏逆变器辅助电源、储能系统（ESS）中的电池管理单元（BMS）充放电开关； ✅ 消费电子：高端PC电源、游戏主机适配器等高效率、高功率密度SMPS主开关管。 该器件支持高频率（可达500 kHz以上）硬开关工作，配合低栅极电荷（Qg ≈ 63 nC）与优化的栅极电阻兼容性，显著降低驱动损耗，提升系统整体能效（满足80 PLUS Titanium/CEC Tier 2要求）。其增强的热性能（RthJC = 0.5 K/W）便于散热设计，适用于紧凑型高可靠性应用。
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