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- 型号： IPP048N04NG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP048N04NG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP048N04NG价格参考。InfineonIPP048N04NG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP048N04NG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP048N04NG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP048N04NG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用OptiMOS™ 5技术，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅4.8 mΩ @ VGS=10 V）、高开关速度和优异的热性能。其额定电压为40 V，连续漏极电流达120 A（TC=25°C），适用于中低压、高效率、高功率密度的电源转换场景。 典型应用场景包括： - 服务器与通信电源：用于同步整流、DC-DC降压转换器（如CPU/GPU供电的POL模块），提升能效并降低温升； - 工业电机驱动：在BLDC电机控制器中作为逆变桥下管/上管，支持高频PWM调制与快速关断； - 汽车电子系统：符合AEC-Q101标准，可用于车载DC-DC变换器、电动助力转向（EPS）控制单元及电池管理系统（BMS）中的负载开关； - 消费类快充设备：在65W–100W氮化镓快充适配器的次级同步整流电路中，替代肖特基二极管，显著降低导通损耗； - UPS与储能系统：用于双向DC-DC或逆变器输出级，兼顾效率与可靠性。 该器件采用PG-TO220-3-1封装，具备良好散热能力与安装兼容性，配合英飞凌驱动IC（如1EDN/2EDN系列）可实现优化的开关性能与EMI表现。
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图文手册
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