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  • 型号: IPP040N06N3G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP040N06N3G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP040N06N3G价格参考。InfineonIPP040N06N3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP040N06N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP040N06N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPP040N06N3G 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET,采用OptiMOS™ 3技术,具有低导通电阻(RDS(on)典型值仅4.0 mΩ @ VGS=10V)、高电流能力(ID达120 A)、快速开关特性及优异的热稳定性。其60 V耐压、TO-220封装和优化的体二极管特性,使其广泛应用于中高功率、高效率的开关场景。

典型应用场景包括:  
✅ 服务器与通信电源:用于DC-DC转换器(如POL模块)、VRM/VRD电压调节器中的同步整流或高边开关;  
✅ 工业电源与UPS系统:在AC-DC整流后级、电池充放电管理及逆变输出桥臂中承担高效开关任务;  
✅ 电动工具与轻型电动车驱动:作为BLDC电机控制器的功率开关单元,支持高频PWM驱动与低损耗运行;  
✅ 太阳能逆变器辅助电路:用于MPPT升压级或辅助电源的主开关,兼顾效率与可靠性;  
✅ LED智能照明驱动:在高功率可调光恒流驱动方案中实现高效调光控制。

该器件具备强抗雪崩能力、符合RoHS标准,并通过AEC-Q101可靠性认证(部分批次),亦适用于部分车规级辅助系统(如车载充电模块)。其低Qg与优化的栅极电荷特性,显著降低驱动损耗,提升系统整体能效(尤其在硬开关拓扑中)。
产品参数 图文手册 常见问题
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