Datasheet下载- 型号： IPI80N06S3-05
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI80N06S3-05由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI80N06S3-05价格参考。InfineonIPI80N06S3-05封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI80N06S3-05参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI80N06S3-05 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI80N06S3-05 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3（D²PAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 5.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 80 A，TC = 25°C）及优异的开关性能。其典型应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车载DC-DC转换器、电机驱动（如电子助力转向EPS、车窗/座椅控制）、LED车灯驱动及电池管理系统（BMS）中的充放电开关，满足AEC-Q101可靠性认证，具备高抗干扰与高温稳定性（Tj max = 175°C）。 - 工业电源与电机控制：适用于开关电源（SMPS）、UPS、变频器、伺服驱动器等中高功率场合，尤其适合48V系统或低压大电流应用（如通信电源、服务器电源次级侧同步整流或负载开关）。 - 消费类与家电：用于高端空调、洗衣机、吸尘器等变频电机驱动模块，实现高效节能与快速响应。 该器件集成优化的体二极管，具备良好的反向恢复特性，可降低开关损耗与EMI；配合英飞凌驱动IC（如1ED系列），易于实现可靠栅极驱动。其低RDS(on)和高功率密度设计，显著提升系统效率与热管理性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N06S3-05_DS_1_1.pdf?folderId=db3a304314dca389011528372fbb12ac&fileId=db3a304316f112290116f2dd27ed72c2 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI80N06S3-05 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 110µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10760pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.4毫欧 @ 63A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI80N06S3-05-ND |
| 功率-最大值 | 165W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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