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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPI80N04S4-03
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI80N04S4-03由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI80N04S4-03价格参考。InfineonIPI80N04S4-03封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI80N04S4-03参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI80N04S4-03 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI80N04S4-03 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-7（D²PAK-7）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 3.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 80 A，TC = 25°C）及优化的开关性能。其典型应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车载DC-DC转换器、电动助力转向（EPS）、车身控制模块（BCM）中的高边/低边开关，以及48V轻混系统（MHEV）的电源管理与电机驱动； - 工业电源：适用于服务器/通信电源的同步整流、次级侧DC-DC变换器、UPS和工业变频器的功率级； - 电机驱动：在中小功率BLDC电机（如风机、泵、电动工具）的H桥或三相逆变电路中作为主开关器件； - 消费类电源：高端适配器、LED驱动电源等对效率和热性能要求较高的场合。 该器件支持100%额定电流的脉冲工作，具备AEC-Q101车规认证，集成可靠保护特性（如雪崩耐量），适合高可靠性、高效率、紧凑型设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N04S4-03_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c53fc8b5dab |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI80N04S4-03 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 53µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5260pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 毫欧 @ 80A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI80N04S403AKSA1 |
| 功率-最大值 | 94W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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