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- 型号： IPI80N04S3-04
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI80N04S3-04由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI80N04S3-04价格参考。InfineonIPI80N04S3-04封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI80N04S3-04参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI80N04S3-04 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI80N04S3-04 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3（D²PAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 4.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 80 A，TC = 25°C）及优异的开关性能。其典型应用场景包括： 1. 汽车电子：广泛用于车载DC-DC转换器、电机驱动（如电子助力转向EPS、冷却风扇、雨刮器控制）、车身控制模块（BCM）及LED车灯驱动，符合AEC-Q101可靠性标准； 2. 工业电源与电机驱动：适用于大功率开关电源（SMPS）、服务器/通信电源的同步整流、工业变频器及中小功率BLDC/PMSM电机驱动； 3. 消费类与家电：应用于高端家电（如变频空调压缩机驱动、洗衣机主驱、吸尘器高速电机）中的高效H桥或半桥拓扑； 4. 可再生能源：在光伏微逆变器、储能系统（ESS）的DC侧开关与保护电路中提供快速、低损耗切换。 该器件集成优化的体二极管，具备良好的抗雪崩能力和dv/dt鲁棒性，适合高频硬开关应用（典型频率≤100 kHz），并支持表面贴装（SMT）工艺，兼顾散热性与生产效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3MOSFET N-CH 40V 80 A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N04S3-04_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba313458f&sId=db3a30433a047ba0013a052eea1f007c |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPI80N04S3-04OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N04S3-04_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba313458f |
| 产品型号 | IPI80N04S3-04 |
| Pd-PowerDissipation | 136 W |
| Pd-功率耗散 | 136 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.2 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 90µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI80N04S304AKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 136W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 4.2 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 80 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 系列 | xPI80N04 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPI80N04S304AKSA1 SP000261226 |
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