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- 型号： IPI80404S3-03
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI80404S3-03由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI80404S3-03价格参考。InfineonIPI80404S3-03封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI80404S3-03参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI80404S3-03 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI80404S3-03 是英飞凌（Infineon）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用S3O8（即PG-TO263-7-11）封装，具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 3.0 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID达120 A）及优异的开关性能。其典型应用场景包括： 1. 服务器与通信电源：用于DC-DC降压转换器（如CPU/GPU供电的VRM模块），满足高效率、高功率密度需求； 2. 工业电源与UPS系统：在PFC（功率因数校正）电路和主输出同步整流中提升能效与热稳定性； 3. 电动工具与电池供电设备：支持12–48 V电池系统中的电机驱动H桥或负载开关，兼顾快速开关与低损耗； 4. 车载DC-DC变换器（非车载充电）：适用于48 V轻混系统（如Belt-driven Starter Generator）中的高侧/低侧开关。 该器件集成优化的体二极管、抗雪崩设计及增强的dv/dt耐受性，适合高频硬开关应用。需配合合理PCB布局（低电感源极走线）、门极驱动（推荐±6 V至±12 V驱动电压）及散热设计（建议使用大面积铜箔或散热片）以发挥最佳性能。不适用于汽车级AEC-Q101认证场景（需选用IPI系列中带“A”后缀型号）。
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