图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPI65R600C6
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI65R600C6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI65R600C6价格参考。InfineonIPI65R600C6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI65R600C6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI65R600C6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI65R600C6 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的650V、600mΩ增强型CoolMOS™ C6系列高压功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其典型应用场景聚焦于高效率、高可靠性中高功率开关电源系统，主要包括： • 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器/通信电源、工业电源及PC ATX电源的PFC（功率因数校正）电路和主DC-DC变换器（如LLC谐振拓扑），凭借低导通电阻（Rds(on)）与优化的Qg/Qoss，显著降低开关与导通损耗。 • 电机驱动：适用于中小功率变频器、风机/水泵驱动器及家电（如变频空调、冰箱压缩机）中的逆变级，支持高频PWM控制并提升能效。 • 光伏逆变器：在组串式光伏逆变器的DC/AC升压与逆变环节中，满足高电压耐受（650V）、低热耗与长期稳定运行要求。 • 不间断电源（UPS）：用于在线式UPS的整流与逆变模块，兼顾效率与鲁棒性。 该器件具备超结（Superjunction）结构、优异的dv/dt抗扰性、内置ESD保护及100%雪崩额定能力，适合硬开关与软开关应用。其C6代工艺在Eoss与Eon之间实现更优平衡，相较前代（C3/C7）进一步提升轻载效率，符合能源之星、80 PLUS Titanium等严苛能效标准。需配合合理PCB布局、散热设计及驱动电路（推荐12–15V栅极驱动电压）以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPI65R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ac1eb91012ac744ef772c60 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI65R600C6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 210µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 2.1A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI65R600C6XKSA1 |
| 功率-最大值 | 63W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.3A （Tc） |
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